机译:CN和SiN薄膜悬空键的密度泛函计算
Fukui Univ Technol, Dept Space Commun Engn, Fukui 9108505, Japan;
CN film; dangling bond; hyperfine interaction constant; GAUSSIAN-BASIS SETS; EXCHANGE; ATOMS;
机译:GeN和SiN薄膜中悬键和弱键超精细相互作用常数的密度泛函计算
机译:Si(100)-2×1:H表面的硅悬空键的扫描隧道光谱和密度泛函计算
机译:非晶硅薄膜中稀土掺杂导致中性悬空键密度(D〜0)的指数耗尽(会议论文)
机译:密度函数计算和同源/叶绿体结构作为超分子液晶聚合物和小分子中氢键强度和中间相稳定性的探针
机译:扫描电子显微镜实验及密度泛函理论计算的电压控制自旋电子学磁性薄膜的结构研究
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机译:磁性引起的a-siN薄膜的中性悬空键耗尽 稀土元素
机译:突变Hg亚(1-x)Cd亚x Te异质结中misfit位错和悬空键密度的计算