机译:Bi2O3棒在大气压力下通过卤化物CVD沉积在c蓝宝石上
Univ Shizuoka, Grad Sch Sci & Technol, Hamamatsu, Shizuoka 4328561, Japan;
thin films; crystal growth; phase transitions; SINTERED OXIDES; ION CONDUCTION; GROWTH; SYSTEM; FILMS;
机译:大气压下δ-Bi_2O_3薄膜的c-蓝宝石卤化物化学气相沉积表征
机译:大气压卤化物CVD法单向生长氮化铝膜的低温快速生长
机译:大气压卤化物CVD生长高反射率Bi_2O_3玻璃薄膜
机译:在C-蓝宝石上用卤化物CVD法在大气压力下沉积Bi_2O_3棒。
机译:通过大气压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)开发用于氧化锌薄膜生长的新型单源前驱体,用于微电子器件。
机译:通过常压CVD从癸烷前体在铜上生长的氮掺杂扭曲石墨烯
机译:放电方式对PECVD在常压下沉积的SiNx:H的光学和钝化性能的影响
机译:常压CVD沉积氧化铟等离子体过滤器的特性