机译:InxGa1-xN量子阱结构中由于局部载流子引起的光增益形成的抑制机理
Kyoto Univ, Dept Elect Sci & Engn, Nishikyo Ku, Kyoto 6158510, Japan;
Nichia Corp, Tokushima 7748601, Japan;
InxGa1-xN LD; optical ggain; ultrafast spectroscopy; DYNAMICS; EMISSION; MQWS;
机译:T形量子线激光器中依赖于载流子密度的光学增益的增加和抑制
机译:半导体量子阱结构中光学增益的非平衡载流子校正
机译:超短光脉冲激发的InGaAs多量子阱激光器结构中瞬态载流子温度,密度和增益谱的时间发展
机译:ZnSe基量子阱结构的激子定域增益机制
机译:载流子动力学和半导体量子点中光学增益的发展。
机译:使用近场扫描光学显微镜和相关分析研究带有V坑的InGaN / GaN量子阱中的载流子定位和转移
机译:InxGa1-xN / GaN量子阱中的载流子定位机制