机译:固态离子阱:通过振荡压电场横向限制量子阱激子
Stanford Univ, Dept Elect Engn, EL Ginzton Lab, Stanford, CA 94305 USA;
semiconductor; quantum wells; piezoelectricity; quantum localization; SURFACE ACOUSTIC-WAVES; GAAS; CONDENSATION; TRANSPORT; PARTICLE; DOTS;
机译:紫外线范围内的C平面GaN / AIN量子点中的载波动力学的暗水平捕获,横向限制和内置电场贡献
机译:一维自陷Frenkel激子的量子约束和超辐射
机译:InxGa1-xN / GaN量子阱中强梯度界面相关的压电极化减弱对激子约束的影响
机译:二维圆极化场下量子-拟二维系统ZnO的压电势子ZnO压电声子散射特性的温度依赖性。
机译:InGaAs量子柱中的太赫兹吸收和砷化铟/砷化镓量子点中的电磁场的激子调谐。
机译:激光辐射在CdZnTe固溶体表面形成的纳米锥中的激子量子限制
机译:人工侧量子限制对二维Gaas电子系统中激子 - 自旋弛豫的影响
机译:固体中的量子输运:布洛赫动力学和振荡场的作用