机译:Si1-xMnx块状退火材料的光学性质和深能级
Hanyang Univ, Dept Elect & Comp Engn, Adv Semicond Res Ctr, Seoul 133791, South Korea;
Dongguk Univ, Quantum Funct Semicond Res Ctr, Seoul 100715, South Korea;
Univ Calif Los Angeles, Dept Elect Engn, Los Angeles, CA 90095 USA;
Chungbuk Natl Univ, Dept Phys, Cheongju 361763, South Korea;
Chungbuk Natl Univ, Inst Basic Sci Res, Cheongju 361763, South Korea;
semiconductors; impurities in semiconductor; electronic states; optical properties; DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS; QUANTUM DOTS; SILICON; TRANSITION; FERROMAGNETISM; GROWTH; IONS; MN; SI;
机译:用于光伏应用散装水平的呋喃基材料的结构,电子和光学性质:一项研究
机译:光学材料在深紫外波长下的光学透射率的高精度测量
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机译:退火对5、10和15 wt。%的块状纳米晶Fe3Al材料的晶粒尺寸和力学性能的影响。通过铝热反应制备的%Cr
机译:深能级状态在ZnSe纳米线的光学和电子特性中的作用
机译:分子束外延在低温下生长的n型GaAsBi合金的深层缺陷及其对光学性能的影响
机译:卤化物气相外延生长的块状GaN材料中的深能级研究