机译:高压下SrSe的电子带隙
Colorado Coll, Dept Phys, Colorado Springs, CO 80903 USA;
chalcogenides; semiconductor; band structure; high pressure; INDUCED METALLIZATION; TRANSITION PRESSURES; PHASE-TRANSITIONS; STATE; SRTE; MONOCHALCOGENIDES; CHALCOGENIDES; CALIBRATION; EQUATION; BASE;
机译:GW近似中SrSe和SrTe带隙的理论研究
机译:通过第一性原理计算得出SrSe在压力下的结构相变,电子和弹性性质
机译:压力下SrS,SrSe和SrTe的结构,电子和弹性性质的第一性原理研究
机译:Ge
机译:窄带隙半导体和伪间隙系统的电子结构和热电性能。
机译:通过TiO2电子带隙调节光子带隙来制氢。
机译:铋锑纳米线的电子相,带隙和带重叠