机译:从头算伪电位研究GaN的结构,电子和光学性质的压力依赖性
Huazhong Univ Sci & Technol, Dept Phys, Wuhan 430074, Peoples R China;
Chinese Acad Sci, Int Ctr Mat Phys, Shenyang 110015, Peoples R China;
semiconductors; phase transition; electronic structure; optical properties; GENERALIZED GRADIENT APPROXIMATION; III-V NITRIDES; PHASE-TRANSITION; GALLIUM NITRIDE; STABILITY; INN; ALN;
机译:压力对菱面膜Ndalo3的结构,电子和光学性质的影响:AB Initio研究
机译:通过从头算算研究静水压力对KMgF3,K0.5Na0.5MgF3和NaMgF3立方氟钙钛矿结构,机械,电子和光学性质的影响
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机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
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