机译:超薄Lu2O3高k栅极电介质中的陷阱控制行为
Nanyang Technol Univ, Sch Mat Sci & Engn, Singapore 639798, Singapore;
high-k; rare earth; dielectrics; INDUCED POINT-DEFECTS; BEAM DEPOSITION; THIN-FILMS; OXIDES; SILICON; LANTHANUM;
机译:通过脉冲激光烧蚀形成嵌入在非晶态Lu2O3高k栅极电介质中的Ge纳米晶体的简单方法
机译:Ge上超薄高k栅极电介质的介电弛豫和缺陷产生的可靠性评估研究
机译:用于下一代金属绝缘体 - 半导体器件的超薄烃膜的新型高k栅极介电性能
机译:界面陷阱状态对具有超薄高K栅极电介质的MOS器件栅极C-V特性的建模效应
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:具有超薄高K电介质的顶门石墨烯纳米孔晶体管