机译:InAs / InAlAs / InP量子点中光致发光峰值能量的反常温度依赖性
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, People's Republic of China;
A. Nanostructures; A. Semiconductors; D. Optical properties; E. Luminescence;
机译:来自包含厚量子点的InAs(P)/ InP多层膜的光致发光光谱的温度依赖性:点尺寸依赖的载流子动力学
机译:形成-溶解-再生长方法生长的InAs / GaAs量子点的光致发光光谱的反常温度依赖性
机译:InAs / InGaAsP / InP量子点结构的光致发光峰值波长行为和发光效率
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:温度对在图案化GaAs上生长的单个InAs量子点的光致发光特性的影响
机译:1.5μmInAs / InP(311)B量子点激光器中重组过程的温度和压力依赖性