机译:低维半导体系统中氢供体杂质的抗磁化率
Department of Physics, Gandhigram Rural University, Gandhigram 624302, Tamilnadu, India;
A. Quantum dot; A. Quantum well wire; A. Quantum well; D. Diamagnetic susceptibility; D. Donor impurity;
机译:静水压力对具有Kratzer约束势的核/壳/壳球形量子点中氢供体杂质抗磁化率的影响
机译:位于圆柱纳米线中心的球形量子点中中心氢供体杂质的结合能和抗磁化率
机译:V型槽GaAs / Ga 1- sub> x sub> Al x sub> As量子线中氢供体杂质的抗磁化率
机译:IV-VI量子点量子阱异质结构中氢供体的抗磁性易感性
机译:原子,分子和固态系统的能量和波函数性质:氢离子以及锂,氖和磷原子;三氟化硼-氨分子配合物和甲基衍生物;硅中的钒,铬和锰离子以及中性锰过渡金属杂质
机译:通过结合噪声的能量相互作用来调谐掺杂杂质的量子点的抗磁化率
机译:杂质位置对GaAs InernoMeneue Quantum点中的磁力供体的抗磁磁性的影响