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机译:InN在几乎晶格匹配的(Mn,Zn)Fe2O4上的外延生长
Univ Tokyo, Inst Ind Sci, Meguro Ku, Tokyo 1538505, Japan;
Kanagawa Acad Sci & Technol, Kawasaki, Kanagawa 2130012, Japan;
Univ Tokyo, Dept Appl Chem, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
semiconductors; epitaxy; PULSED-LASER DEPOSITION; ALN FILMS; GAN;
机译:晶格匹配的EuN缓冲层上InN薄膜的外延生长
机译:RF-MBE外延生长InN薄膜和InN纳米柱
机译:RF-MBE外延生长InN薄膜和InN纳米柱
机译:通过-MNS缓冲层,在MgO(001)衬底上用EU和SM编写的α-Zn0.05SR0.95s的分子束外延生长
机译:PtMnSb基外延薄膜和多层膜的生长,结构和性能
机译:与ZnO晶格匹配的m面InGaN的脉冲溅射外延生长
机译:ZnSnAs2外延膜与InP衬底几乎晶格匹配的高分辨率X射线衍射研究
机译:通过脉冲激光烧蚀生长外延Zns薄膜。