机译:铁电薄膜成分梯度生长衬底的极化和介电性能:第一性原理研究
Harbin Institute of Technology, Shenzhen Graduate School, Shenzhen 518055, China;
D. Compositionally graded substrate; D. Polarization; D. Static dielectric constant; D. First-principles;
机译:Pb_xSr_(1-x)TiO_3及其在高取向LaNiO_3缓冲Pt / Ti / SiO_2 / Si衬底上生长的成分渐变薄膜的铁电性能
机译:LaNiO {sub} 3 / Si基体上Pb(Zr,Ti)O {sub} 3铁电薄膜及成分梯度薄膜的制备及性能
机译:LaNiO3 sub> / Si基体上Pb(Zr,Ti)O3 sub>铁电薄膜的制备及其组成梯度薄膜
机译:Si 100上生长的外延铁电铋层钙钛矿薄膜的微观结构和性能,其极化分量垂直于膜平面
机译:织构铁电薄膜:合成,表征以及成分分级对介电行为的影响。
机译:硅衬底上生长的001取向的Pr3 +掺杂的Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3铁电纳米膜的合成巨电介质和热电响应
机译:通过脉冲激光沉积在(100)MgO衬底上生长的成分梯度(Ba,Sr)TiO₃薄膜的外延生长,介电响应和微观结构