机译:注入了Mn的p型InMnP:Zn的光学,结构和磁性(1和10 at。%)
Quantum-functional Semiconductor Research Center, Dongguk University, Seoul 100-715, Republic of Korea;
A. semiconductors; C. crystal structure and symmetry; D. optical properties;
机译:Mn(10 at。%)注入的MnP:Zn中的MnP和InMn_3导致两相的铁磁形成
机译:掺杂Mn〜+(10 at。%)的非掺杂和p型GaN的结构,光学和磁性的研究
机译:与居里温度为Tc _1〜50 K和Tc _2〜291 K的p型InMnP:Zn外延层相关的结构,光学和磁性
机译:注入Mn离子的p型InMnP:Zn的缺陷状态
机译:(Zn,Mn)Se / ZnTe和ZnSe /(Zn,Mn)Te量子点中的磁极化子。
机译:结构光学磁性和介电特性ZnαNi1-α(en)3Ag2I4(0 α1)通过改变相对的Zn / Ni含量
机译:锰注入的p型GaN的微结构,光学和磁性