机译:脉冲激光沉积生长的ZnO同质结器件的电致发光
State Key Laboratory for Materials modification by laser, ion, electron beams, Department of Physics, Dalian University of Technology, Dalian Liaoning 116024, China;
A. ZnO homojunction; B. Light emitting device; D. As doping; D. Pulsed laser deposition;
机译:Na掺杂浓度通过脉冲激光沉积和硅衬底上ZnO同质结的电致发光来调节ZnO薄膜的电导率
机译:来自N-ZnO / P-GaN异质结的可调谐电致发光,通过脉冲激光沉积生长的CSPBBR(3)中间层
机译:Li-N双受主在p-ZnO:(Li,N)薄膜中的脉冲激光沉积以及p-ZnO:(Li,N)/ n-ZnO同质结在Si(100)上的脉冲沉积
机译:脉冲激光沉积在c-蓝宝石上生长的ZnO薄膜的特性作为金属有机化学气相沉积法再生ZnO的模板
机译:通过脉冲激光沉积开发基于ZnO的薄膜晶体管和掺磷的ZnO和(Zn,Mg)O。
机译:在钠钙玻璃基板上通过脉冲激光沉积生长的ZnO膜,用于表皮葡萄球菌生物膜的紫外线灭活
机译:通过在接种ZnO的Si衬底上进行脉冲激光沉积而生长的高质量互连核/壳ZnO纳米棒结构