机译:GaN /非晶Ga_2O_3纳米电缆的热氧化制备与表征
Information and Electronic Materials Research Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 134 Shinchon-Dong, Seodaemun-Gu, Seoul 120-749, Republic of Korea;
A. Surface and interface; A. Nanostructures; B. Chemical synthesis; D. Phase transitions;
机译:通过RF磁控溅射法生长的Zn纳米线的热氧化制备Zn / ZnO纳米电缆
机译:Ga_2O_3和ZnO的同时碳热还原和氮化对Zn掺杂GaN晶体的合成与表征
机译:Ga_2O_3的碳热还原和氮化对毫米级GaN晶体的生长和表征
机译:通过Zn和Sn混合物粉末的热氧化制备SnO_2 / Zn_2SNO_4 / ZnO纳米烃
机译:铁氧化铁制备的氧化铁薄膜的制造与表征
机译:三重热氧化和硅玻璃阳极键合制备和表征亚100/10 nm平面纳米流体通道
机译:通过水热法制备和表征具有高纵横比的ag @ C纳米电缆
机译:以非晶二氧化硅为介电材料制备和表征绕线电容器(pREpRINT)