机译:钛缺乏对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电响应的影响
National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China;
D. Ti deficiency; D. Relaxation; D. Correlation;
机译:通过分析CaCu_3Ti_4O_(12)-HfO_2复合材料研究CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷中巨介电常数的起源
机译:Y_2O_3接枝CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电响应机理及抑制高频介电损耗
机译:Al_2O_3接枝的CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的巨大介电响应和低介电损耗
机译:(SR,SB)编排的巨电介质响应Cacu_3Ti_4O_(12)陶瓷:一种新方法
机译:超介电常数材料CaCu3Ti4O12的研究。
机译:不同烧结路线制备(KNa)NbO3和(BaNa)(TiNb)O3基陶瓷的介电铁电和压电性能的组成设计
机译:使用射频磁控溅射在$ Pt / Ti / SiO_2 / Si $衬底上沉积的$ CaCu_3Ti_4O_ {12} $薄膜的沉积和介电特性