机译:In掺杂GaN纳米晶体的合成及光学性质
Indian Inst Sci, Jawaharlal Nehru Ctr Adv Sci Res, Chem & Phys Mat Unit, Bangalore 560064, Karnataka, India;
Indian Inst Sci, Jawaharlal Nehru Ctr Adv Sci Res, DST Nanosci Unit, Bangalore 560064, Karnataka, India;
Indian Inst Sci, Jawaharlal Nehru Ctr Adv Sci Res, CSIR Ctr Excellence Chem, Bangalore 560064, Karnataka, India;
nanostructures; chemical synthesis; optical properties; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; INGAN THIN-FILMS; QUANTUM DOTS; RAMAN-SCATTERING; PHOTOLUMINESCENCE; LAYERS; EMITTERS;
机译:In掺杂GaN的电子结构和光学性质的第一性原理研究
机译:GaN / ZnO固溶纳米晶体的合成及光学性质
机译:SiO_2 / GaN / SiO_2薄膜结构中掺杂Si的GaN纳米晶体的光学性质
机译:在GaN(OOOl)模板上通过等离子体辅助分子束外延生长的In掺杂ZnO薄膜的电学性质
机译:探索纳米线和纳米晶体的新颖物理特性:第一部分。纳米线的光学特性和器件应用。第二部分纳米晶体的机械和摩擦学特性。
机译:单分散掺ZnO纳米晶体的一步合成
机译:CdTe纳米晶的合成及光学性质改善光学性能