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机译:GaAs基板上的毫米波低噪声,高功率变质HEMT放大器和器件
HEMT integrated circuits; III-V semiconductors; MMIC power amplifiers; field effect MIMIC; gallium arsenide; indium compounds; integrated circuit noise; millimetre wave power amplifiers; 0.61 dB; 16 dB; 26 GHz; 26 dB; 35 GHz; InGaAs-GaAs; Ka-band; MHEMT technology; chan;
机译:GaAs基板上的毫米波低噪声,高功率变质HEMT放大器和器件
机译:在面向短波长区域的子带间设备的GaAs衬底上生长的变质InGaAs / AlAsSb量子阱
机译:在GaAs和Si衬底上通过MOCVD生长的变质$ {rm In} _ {0.53} {rm Ga} _ {0.47} {rm As} $ MOSHEMT的材料和器件特性
机译:GaAs衬底上的毫米波低噪声变质HEMT放大器和器件
机译:高功率拟晶AlGaAs / InGaAs高电子迁移率晶体管的材料,物理学,器件物理学和技术。
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机译:变质HBT:在Gaas衬底上生长的Inp / InGaas / Inp器件。