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机译:具有扭曲位线架构和三阱屏蔽的超高密度高速无负载四晶体管SRAM宏
CMOS memory circuits; SRAM chips; alpha-particle effects; high-speed integrated circuits; integrated circuit noise; integrated circuit reliability; leakage currents; memory architecture; 0.18 micron; 16 Mbit; 2.0 ns; 500 MHz; CMOS; access speed; alpha particles; coupli;
机译:4 Mb无负载CMOS四晶体管SRAM宏的准最坏条件内置自检方案
机译:4 Mb无负载CMOS四晶体管SRAM宏的准最坏条件内置自检方案
机译:用于4 MB无负载CMOS四晶体管SRAM宏的准差状况内置自检方案
机译:具有双层扭曲位线和三阱屏蔽的超高密度高速无负载四晶体管SRAM宏
机译:高速,低功耗的三维SRAM架构。
机译:用于1 V超低功耗字位可配置宏单元的共享位线sRam单元架构