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机译:通过使用互补nMOS和pMOS配置增强线性度的宽带降噪CMOS LNA
University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 611731, China;
University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 611731, China;
University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 611731, China;
University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 611731, China;
Qualcomm Atheros Company, Ltd., Shanghai, China;
Impedance matching; Distortion; Transistors; Linearity; Transconductance; Radio frequency; Wideband;
机译:具有双互补pMOS–nMOS配置的0.096-mm_2 1–20-GHz三通道消噪共栅极共源共源LNA
机译:利用并行组合NMOS和PMOS器件的互补特性的CMOS RF放大器和混频器电路
机译:利用交叉耦合反馈和体效应的宽带降噪CMOS LNA
机译:利用互补MGTR技术增强线性度的宽带共栅LNA
机译:研究了用于多标准低中频无线接收器的两级CMOS宽带放大器的新配置和新的CMOS宽带RF前端。
机译:具有片上线性度增强功能的全数字时域CMOS智能温度传感器
机译:利用变压器的宽带降噪CMOS LNA
机译:CmOs成像器中的线性动态范围增强