机译:基于过程参数的离子注入MOSFET和MESFET的电路仿真模型
机译:在黑暗和光照条件下亚微米栅长离子注入GaAs MESFET的电流(I)-电压(V)特性的分析模型
机译:GaAs MESFET的DC模型改善电路仿真
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机译:硅MOSFET,砷化镓MESFET和砷化铝镓/砷化镓MODFET数字电路和系统的缩放比例和性能限制。
机译:昆虫触角叶中嗅觉回路的形态学建模:I.尖峰局部中间神经元的模拟
机译:暗和光照条件下的短栅长离子注入GaAs Mesfets的二维(2D)电势分布模型
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模