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机译:结合阴影纳米球光刻和退火的聚苯乙烯纳米球掩模制备纳米级环,点和棒
Center of Advanced European Studies and Research (CAESAR), Ludwig-Erhard-Allee 2, 53175 Bonn, Germany;
Poznan University of Technology pl. Marii Sklodowskiej-Curie 5, 60-965 Poznan, Poland;
Adam Mickiewicz University ul. Wienieawskiego 1, 61-712 Poznan, Poland;
Center of Advanced European Studies and Research (CAESAR), Ludwig-Erhard-Allee 2, 53175 Bonn, Germany;
magnetic force microscopy; nanolithography; nanoparticles; nanorods; nanostructures;
机译:结合阴影纳米球光刻和退火的聚苯乙烯纳米球掩模制备纳米级环,点和棒
机译:基于阴影纳米球光刻技术的周期性大面积金属开口环谐振器超材料的制备
机译:多功能纳米光刻技术组合多曝光纳米透镜光刻和纳米晶体模板光刻
机译:基于阴影纳米光刻的周期大区域金属分流环谐振器超材料制造
机译:具有高通量纳米球光刻技术的均匀III-V量子点阵列的制造,用于设备应用。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:胶体单层在空气/水界面处的热退火:一种可迁移的胶体掩模的简便方法,其胶体尺寸可调,用于纳米球光刻