机译:调查闪存损耗均衡和执行模式
University of Versailles, 45 avenue des etats unis, Versailles 78000, France;
Imperial College London, UK;
chip utilization; flash memory; IO performance; preemption; priority; waiting time; wear levelling;
机译:领域:一种自我恢复效应感知损耗均衡策略,用于扩展NAND闪存的可靠性
机译:RbWL:基于新近度的静态磨损均衡,可延长NAND闪存系统的使用寿命并减少开销
机译:闪存磨损调平技术中的基于采样的块擦除表方法
机译:调查闪存磨损水平和执行模式
机译:现实世界巨神记忆检索的神经机制:使用功能性神经影像,脑刺激和可穿戴相机技术的研究
机译:情绪记忆过程的时空动力学模型:基于应激诱发的健忘症闪光灯和创伤记忆的神经生物学基础以及Yerkes-Dodson定律的综合
机译:RRWL:基于Robin的磨损水平使用块擦除表进行闪存
机译:在某些EpROm,EEpROm,闪存和闪存微控制器211半导体器件以及包含它的产品中。调查编号337-Ta-395