机译:GaMnAs / InGaAs层中的反对称磁阻异常和磁畴结构
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Universite de Montpellier 2, 34095 Montpellier, France;
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Universite de Montpellier 2, 34095 Montpellier, France;
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Universite de Montpellier 2, 34095 Montpellier, France;
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Universite de Montpellier 2, 34095 Montpellier, France;
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warszawa, Poland MAX-Lab, Lund University, PO Box 118, 221 00 Lund, Sweden;
Grenoble High Magnetic Field Laboratory and Centre National de la Recherche Scientifique, BP 166,38042 Grenoble Cedex 9, France;
机译:GaMnAs / AlAs / InGaAs / AlAs / GaMnAs双势垒磁性隧道结中的隧道磁阻
机译:畴结构对GaMnAs中磁致电阻异常的影响研究
机译:畴结构对GaMnAs中磁致电阻异常的影响研究
机译:基于Gamnas三层结构的MagnetOcransport属性,具有不同厚度的InGaAs间隔层
机译:研究多层的磁性结构和超冷中子存储异常。
机译:具有各向异性磁阻相反符号的GaMnAs层组成的三层结构中的磁化反转
机译:由Gamnas层组成的三层结构中的磁化反转,具有各向异性磁阻的迹象