机译:尘埃基板上的硅路径可直接由气态原料制造太阳能电池
SESUL/Faculdade de Ciencias da Universidade de Lisboa, Campo Grande ED-C8, 1749-016 Lisboa, Portugal;
机译:硅原料中的铁对P型和N型多晶硅太阳能电池的影响
机译:使用多孔硅分段镜在70 cm〜2面积不合格的硅基板上的薄膜外延硅太阳能电池的效率(> 15%)
机译:太阳能级硅的可接受污染水平:从原料到太阳能电池
机译:通过LEPCVD直接在硅上生长的GE虚拟基底上的单结GAAS太阳能电池
机译:使用多孔硅顺应膜设计硅衬底上的多结太阳能电池
机译:硅衬底上直接生长的InAs / InGaAs / GaAs量子点太阳能电池
机译:来自100%太阳能级硅原料的18%以上的MC-Si太阳能电池,来自冶金工艺路线
机译:冶金硅衬底上的硅薄膜 - 阶段II。专题报告第3号。薄膜多晶硅太阳能电池的稳定性