机译:具有凹形漏极漂移区的非对称3D三栅极4H-SiC MESFET
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People's Republic of China;
机译:具有凹陷的源/漏漂移区的改进的双凹陷4H-SiC MESFET结构
机译:具有3D三栅极结构的大功率4H-SiC MESFET的仿真
机译:一种新颖的双凹4H-SiC MESFET,具有部分未掺杂的空间区域
机译:具有凹陷漂移区的改进型3D三栅4H-SiC MESFET的仿真
机译:用于自对准IGZO TFT的植入活性源/漏区
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:改进了具有凹陷漏极漂移区和凹陷的P缓冲层的栅极栅极4H-SiC MESFET