机译:ZnS MSM光电二极管和InGaP / GaAs HBT在GaAs衬底上的单片集成
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, 2 Peining Road, Keelung, Taiwan, Republic of China;
机译:在GaAs衬底上集成了ZnSe MSM光电二极管和InGaP / GaAs HBT,用于高灵敏度短波长光电探测器
机译:ZnSe MSM光电二极管和InGaP / GaAs HBT构成的单片受光器
机译:使用InGaAs MSM光电二极管和在GaAs上生长的AlGaAs / GaAs HEMT的1.3μm单片集成光电接收器
机译:GaInAs PIN光电二极管与AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT在GaAs衬底上的单片集成
机译:高功率铝的制造:用于光学泵浦的0.8微米至1.0微米的InGaAsP / InGaP / GaAs激光器
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:采用msm光电二极管和alGaas / Gaas HEmT的10 Gbps单片集成光电接收器