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机译:锗含量和基极掺杂水平对非本征基极电阻和SiGe:C异质结双极晶体管的动态性能的影响
Instituto Politecnico Nacional, UPALM, Edif. Z-4 3er Piso, CP 07738, Mexico D.F, Mexico,Institut d'Electronique Fondamentale, Univ. Paris-Sud, CNRS UMR 8622, 91405 Orsay, France;
Institut d'Electronique Fondamentale, Univ. Paris-Sud, CNRS UMR 8622, 91405 Orsay, France;
Institut d'Electronique Fondamentale, Univ. Paris-Sud, CNRS UMR 8622, 91405 Orsay, France;
Instituto Politecnico Nacional, UPALM, Edif. Z-4 3er Piso, CP 07738, Mexico D.F, Mexico;
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SiGe HBT; apparent base resistance; microwave noise;
机译:在所有注入水平下,基本掺杂分布对SiGe异质结双极晶体管性能的影响研究
机译:高性能RF SiGe异质结双极晶体管的外部基础优化
机译:SiGe / Si异质结双极晶体管的性能对Ge含量和SiGe中Ge含量的影响
机译:BiCMOS SiGe技术中重掺杂掩埋层注入对静电放电(ESD),闩锁和硅锗异质结双极晶体管的影响
机译:硅/硅锗/硅异质结双极晶体管的基极掺杂效应和设计。
机译:超低接触电阻的黑色磷场效应晶体管中的掺锗金属欧姆接触
机译:si / si1-xGex / si异质结双极晶体管高掺杂对基极电阻和带隙窄化的影响研究
机译:假晶基极 - 发射极间隔层对铍掺杂InGaas / Inalas异质结双极晶体管电流诱导退化的影响