机译:轻度p型掺杂衬底上形成的多孔硅微腔的细化,表征和时效
机译:铁沉积在轻掺杂衬底制备的n型和p型多孔硅上的电化学比较研究
机译:N型和P型硅基质的多孔硅形成早期阶段的理论模型
机译:电子辐照引起的轻掺杂n型和p型α-锡的损伤恢复效果
机译:独立式衬底上轻掺杂n型和p型同质外延GaN的表征
机译:半导体结中深层杂质的电学表征:掺D的P型硅上的肖特基势垒。
机译:照明对不同掺杂水平的p型硅光辅助刻蚀形成多孔硅的影响
机译:p型硅和康宁玻璃基板上掺铌的Ba0.25Sr0.75TiO3(BSNT)的光电特性及其在LAPAN – IPB卫星上作为光电二极管的实现
机译:轻掺杂硅衬底中计算高效的衬底噪声耦合估计