机译:在绝缘AIN和导电AlGaN缓冲层上生长的GaN层的比较研究
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r面蓝宝石衬底上进行a面GaN膜的MOCVD生长的比较研究
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r平面蓝宝石衬底上MOCVD生长a平面GaN膜的比较研究
机译:AIN / GaN应力缓解层的应变状态及其对100mm Si(111)上氨分子束外延生长的GaN缓冲层的影响
机译:使用应变缓解层间在AlGaN缓冲层和GaN缓冲层上生长的AlGaN层
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:不同成核层的溅射AlN模板上生长的AlGaN / GaN异质结构的研究
机译:具有薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的Al2O3绝缘栅结构
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应