机译:确定FOLD MOSFET漏源串联电阻的新分析模型
机译:一种使用单个器件确定漏极工程MOSFET中与栅极和漏极偏置相关的串联电阻的新颖技术
机译:基于Y函数的纳米SOI MOSFET大规模串联电阻方法的应用,建模和局限性
机译:沟道厚度对栅嵌入式纳米SOI MOSFET的电特性和串联电阻影响的建模
机译:四分之一微米MOSFET的源漏串联电阻分析模型及其对电路仿真的影响
机译:建模平面和非平面MOSFET的外部电阻和电容
机译:更正:使用解析肖特基势垒MOSFET模型分析黑磷晶体管
机译:栅极凹陷纳米型SOI MOSFET中电气特性和串联电阻的频道厚度影响
机译:绝缘体上硅n-mOsFET中的雪崩引起的漏源击穿