Erratum: A novel source material engineered double gate tunnel field effect transistor for radio frequency integrated circuit applications (2020 Semicond. Sci. Technol. 35 105013)

Dassi Minaxi; Madan Jaya; Pandey Rahul; Sharma Rajnish

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Erratum: A novel source material engineered double gate tunnel field effect transistor for radio frequency integrated circuit applications (2020 Semicond. Sci. Technol. 35 105013)

机译：错误：一种用于射频集成电路应用的新型源材料工程双栅极隧道场效应晶体管（2020 SOMOND。SCI。TECHNOL。35 105013）

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《Semiconductor science and technology》 |2020年第12期|129601.1-129601.1|共1页
作者
Dassi Minaxi; Madan Jaya; Pandey Rahul; Sharma Rajnish;
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作者单位

Chitkara Univ Sch Engn & Technol Solan Himachal Prades India;

Chitkara Univ Inst Engn & Technol VLSI Ctr Excellence Rajpura Punjab India;

Chitkara Univ Inst Engn & Technol VLSI Ctr Excellence Rajpura Punjab India;

Chitkara Univ Inst Engn & Technol VLSI Ctr Excellence Rajpura Punjab India;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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正文语种 eng
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关键词
入库时间 2022-08-18 21:19:54

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