机译:基于矩形核心外壳的双栅极连接晶体管的公共源放大器模拟性能研究
Thapar Inst Engn & Technol Dept Elect & Commun Engn Patiala 147004 Punjab India;
Thapar Inst Engn & Technol Dept Elect & Commun Engn Patiala 147004 Punjab India;
MOSFET; rectangular core-shell; miller capacitances; unity gain frequency; Verilog-A model;
机译:核心厚度和栅极失准对基于矩形核壳的双栅极无结场效应晶体管的影响
机译:采用矩形核壳结构,增强了双栅极无结场效应晶体管的性能
机译:基于电荷等离子体的双金属栅极凹槽源/漏流无线连接晶体管,具有增强的模拟和RF性能
机译:栅极氧化物厚度对基于矩形核心壳的结性场效应晶体管性能的影响
机译:共源异质结场效应晶体管放大器中的1 / f AM和PM噪声。
机译:通过基于扫描探针显微镜的光刻技术制造的双侧栅无结晶体管的收缩机制
机译:独立双栅晶体管中数字逻辑门的TCAD模拟 - 传统和无连接FET的比较研究