首页> 外文期刊>Semiconductor International >POU Filters Reduce ArF Lithography Defects
【24h】

POU Filters Reduce ArF Lithography Defects

机译:POU过滤器可减少ArF光刻缺陷

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Bottom antireflective coatings (BARCs) have been widely used in the lithography process for decades. BARCs play important roles in controlling reflections and therefore improving swing ratios, CD variations, reflective notching and standing waves.rnThe implementation of BARC processes in 193 nm dry and immersion lithography has been accompanied by defect reduction challenges on fine patterns.rnPoint-of-use (POU) filters are well known among the most critical components on a track tool to ensure low wafer defects by providing particle-free coatingsrnon wafers. The filters must have very good particle retention to remove defect-causing particulate and gels, while not altering the chemical formulation of photochemical materials.
机译:底部抗反射涂层(BARC)在光刻工艺中已广泛使用了数十年。 BARC在控制反射,从而改善摆幅比,CD变化,反射陷波和驻波方面起着重要作用。-在193 nm干法和浸没式光刻中实施BARC工艺伴随着减少精细图案上的缺陷的挑战。 (POU)过滤器是跟踪工具中最关键的组件之一,它通过提供无颗粒的涂层来确保低晶圆缺陷,从而避免了晶圆缺陷。过滤器必须具有非常好的颗粒保留能力,以去除引起缺陷的颗粒和凝胶,同时又不改变光化学材料的化学组成。

著录项

  • 来源
    《Semiconductor International》 |2009年第11期|20-23|共4页
  • 作者单位

    AZ Electronic Materials USA Corp., Somerville, N.J.;

    AZ Electronic Materials USA Corp., Somerville, N.J.;

    AZ Electronic Materials USA Corp., Somerville, N.J.;

    AZ Electronic Materials USA Corp., Somerville, N.J.;

    Entegris Inc. Billerica, Mass;

  • 收录信息 美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 23:12:19

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号