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リソテック,液浸中のリーチング測定を検討WEXA-2を用いて,液浸中のレジストからのリーチング速度を測定

机译:Resotech,研究浸入过程中的浸出测量浸入过程中使用WEXA-2浸入过程中从抗蚀剂浸出速度的浸入测量

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摘要

ArF液浸露光におけるレジストからのリーチングrnは,スキャナのレンズを汚染する可能性があり,リrnーチング量をあらかじめ把握しておくことが重要でrnある。リソテックジャパンでは,ArFレジストからrnの液浸中のリーチング測定を行った。本稿ではそのrn測定方法を紹介する。
机译:在ArF浸入式曝光中从抗蚀剂中浸出可能会污染扫描仪的透镜,因此,重要的是要事先知道重新浸入的量。 Resotech Japan测量了ArF抗蚀剂浸入rn期间的浸出。介绍了rn的测量方法。

著录项

  • 来源
    《Semiconductor FPD World》 |2009年第8期|84-86|共3页
  • 作者

    関口淳;

  • 作者单位

    リソテックジャパンプロセス開発グループ;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 23:11:55

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