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Coupled quantum dots fabricated by cleaved edge overgrowth: from artificial atoms to molecules

机译:分裂的边缘过度生长产生的耦合量子点:从人造原子到分子

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摘要

Atomically precise quantum dots of mesoscopic size have been fabricated in the gallium arsenide-aluminum gallium arsenide material system by cleaved edge overgrowth, with a high degree of control over shape, composition, and position. The formation of bonding and antibonding states between two such "artificial atoms" was studied as a function of quantum dot separation by microscopic photoluminescence (PL) spectroscopy. The coupling strength within these "artificial molecules" is characterized by a systematic dependence of the separation of the bonding and antibonding levels, and of the PL linewidth, on the "interatomic" distance. This model system opens new insights into the physics of coupled quantum objects.
机译:通过劈开的边缘过度生长在砷化镓-砷化镓铝材料系统中制造了介观尺寸的原子精确的量子点,并且高度控制了形状,成分和位置。研究了两个这样的“人造原子”之间的键合和反键状态的形成,这是通过显微光致发光(PL)光谱分析量子点分离的函数。这些“人工分子”内的偶联强度的特征在于键合和反键能级的分离以及PL线宽对“原子间”距离的系统依赖性。该模型系统为耦合量子物体的物理学开辟了新的见解。

著录项

  • 来源
    《Science》 |1997年第5344期|p.1792-1795|共4页
  • 作者

    Schedelbeck G; Bichler M;

  • 作者单位

    Walter Schottky Institut, Technische Universitat Munchen, Am Coulombwall, D-85748 Garching, Germany.;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);美国《化学文摘》(CA);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 自然科学总论;
  • 关键词

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