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Fractional Quantum Hall Effect in Organic Molecular Semiconductors

机译:有机分子半导体中的分数量子霍尔效应

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摘要

High-quality crystals of the organic molecular semiconductors tetracene and pentacene were used to prepare metal-insulator-semiconductor (MIS) structures exhibiting hole and electron mobilities exceeding 10~4 square centimeters per volt per second. The carrier concentration in the channel region of these ambipolar field-effect devices was controlled by the applied gate voltage. Well-defined Shubnikov-de Haas oscillations and quantized Hall plateaus were observed for two-dimensional carrier densities in the range of 10~(11) per square centimeter. Fractional quantum Hall states were observed in tetracene crystals at temperatures as high as ~2 kelvin.
机译:用有机分子半导体并四苯和并五苯的高质量晶体来制备金属-绝缘体-半导体(MIS)结构,该结构的空穴和电子迁移率超过每秒10〜4平方厘米。这些双极性场效应器件的沟道区中的载流子浓度由施加的栅极电压控制。在每平方厘米10〜(11)范围内,二维载流子密度观察到清晰的Shubnikov-de Haas振荡和量化的Hall平台。并四苯晶体在高达〜2开尔文的温度下观察到分数量子霍尔态。

著录项

  • 来源
    《Science》 |2000年第5475期|p.2338-2340|共3页
  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);美国《化学文摘》(CA);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 自然科学总论;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 02:57:42

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