Metody badania właściwości szumowych elementów mocy z SiC

摘要

Węglik krzemu, SiC, jest nowym materiałem dla elektroniki wysokich mocy i wysokich temperatur. Ze względu na swoje właściwości jest wykorzystywany do wytwarzania elementów mocy i diod świecących. W artykule przedstawiono metody i układy pomiarowe do pomiarów szumów z zakresu małych częstotliwości dla diod mocy wykonanych z węglika krzemu. Pomiary prowadzone były przy polaryzacji badanych elementów w kierunku przewodzenia i zaporowym. Opracowano układ automatycznej kompensacji składowej stałoprądowej, który umożliwia obserwację i rejestrację szumów wybuchowych.%Silicon carbide, SiC, is a novel material for power electronics. It offers a higher band gap, a higher breakdown electric field and a higher thermal conductivity in comparison to other materials such as silicon or gallium arsenide. Therefore, it is used in power and HF electronics as a material for switching elements as Schottky diodes and transistors, that can work at higher switching frequencies and higher junction temperature up to 175℃. The aim of the paper is to present noise measurement systems of SiC Shottky diodes and to discuss conditions of the measurement with reference to the quality of SiC Schottky diode evaluation. The measurements included static characteristics and noise measurements in both forward and reverse polarization of diodes. The noise measurements were made in the measurement setups shown in Figs. 4 and 5. In several devices the burst noise (RTS) was observed in reverse polarization. The RTS was measured in the measurement setup (Fig. 8) equipped with a specially prepared system for compensation of the DC component of the measured signal (Fig. 9).