机译:相关介电击穿项目的应力条件的上限电压和温度限制
Siemens Components, Inc., c/o IBM MD, N65/966-2, 1000 River Street, Essex Junction, VT 05452, U.S.A.;
oxide reliability; field acceleration; activation energy; 1/E-model; constant voltage stress; stress conditions;
机译:使用恒定电压应力和连续恒定电压应力研究超薄栅极电介质的击穿
机译:应力至硬击穿的2.3-3.2 nm SiO_2薄氧化物的温度和电压加速因子评估
机译:在固态变压器中具有多谐波的高频电压下的电应力和介电击穿特性
机译:应力条件下互连介电寿命的建模和随时间变化的介电击穿的新外推方法
机译:低压断路器中零电流后绝缘击穿的数值模型。
机译:循环电压激励下介电弹性体执行器动态击穿的研究
机译:在击穿电压遵循3参数Weibull分布时估计介电击穿电压。