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EVALUATION OF THE HOT-CARRIER-INDUCED OFFSET VOLTAGE OF DIFFERENTIAL PAIRS IN ANALOGUE CMOS CIRCUITS

机译:模拟CMOS电路中热电偶引起的差分对失调电压的评估

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摘要

Using a specifically developed measurement set-up and a test structure typical for analogue applications, high precision measurements of the stress-induced offset voltage degradation of differential pairs are presented. Extrapolation to operating conditions yields valuable information for analogue design in the sub-micron CMOS regime.
机译:通过使用专门开发的测量设置和典型的模拟应用测试结构,可以对应力引起的差分对失调电压劣化进行高精度测量。外推到工作条件会为亚微米CMOS机制中的模拟设计提供有价值的信息。

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