机译:薄SiO_2薄膜的降解和破裂的频率依赖性。
Departament de Fisica (Electronica). Universitat Autonoma de Barcelona, 08193-Bellaterra, Spain;
VLSI reliability; silicon dioxide; degradation and breakdown;
机译:超薄Hf基(hfo_2)_x(sio_2)_(1-x)栅氧化膜的分解和降解
机译:分解后和击穿后薄氧化硅膜中与结构有关的低频波动
机译:脉冲金属有机化学气相沉积在(111)Ir / TiO_2 / SiO_2 / Si和(111)Pt / TiO_2 / SiO_2 / Si衬底上制备的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的电学性质对膜厚的依赖性
机译:SiO 2薄膜中软击穿的载流分离技术和击穿瞬态调制研究
机译:射频微机电开关金薄膜致动膜的温度依赖性和特性
机译:电阻开关器件中金属氧化物的薄膜沉积:锰矿薄膜中电阻开关的电极材料依赖性
机译:使用射频磁控溅射在$ Pt / Ti / SiO_2 / Si $衬底上沉积的$ CaCu_3Ti_4O_ {12} $薄膜的沉积和介电特性
机译:单色化Xps中聚(乙烯醇)薄膜的降解:基板效应和X射线强度依赖性