机译:-150℃至150℃范围内SiO_2介电击穿的物理机制
IBM Microelectronics Division, 1000 River St., Essex Junction, Vermont 05452, U.S.A.;
trap creation; activation energy; upper limits; poly/SiO_2 interface; Si/SiO_2 interface; area effect;
机译:通过击穿后电阻统计研究SiO_2介电击穿机理
机译:在非均匀背景场中,SF_6中在25-150 kPa压力范围内的局部放电和击穿
机译:SiO_2薄膜介电击穿的微观机理:多尺度建模的启示
机译:MNS对粉末冶金钢切割速度的切削机理的影响从1米/秒为150米/秒
机译:通过of 150和euro 150的β衰变研究of 150。
机译:p150Glued的Polo样激酶1磷酸化促进前期的核膜破裂
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