机译:用于电子电路的InAlAs / InGaAs HEMT的侧门测试结构的研究
Universite de Limoges, ENSIL, 83 rue d'Isle, F-87000 Limoges, France;
high electron mobility transistor; indium phosphide; side gate effect; impact ionization;
机译:基于复合透明栅InAlAs–InGaAs变质HEMT的光电混合器
机译:使用Ir / Ti / Pt / Au门结构的0.15- $ muhboxm $-门InAlAs / InGaAs / InP E-HEMT
机译:用于毫米波应用的纳米级InAlAs / InGaAs DG-HEMT中增强栅极控制的量子建模
机译:使用琥珀酸的蚀刻剂研究InGaAs / Inalas / InGaAs变质Hemt结构的选择性闸门凹陷蚀刻
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于台面结构的聚酰亚胺钝化InAlAs / InGaAs APD的制备与表征
机译:纳米载体/ Ingaas DG-HEMT中增强栅极控制的量子建模,用于毫米波应用
机译:用于InGaas热光电器件中埋入式反射器/互连应用的InGaas / Feal / Inalas / Inp异质结构的生长和性质