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Nanoscale selective area epitaxy: From semiconductor lasers to single-photon sources

机译:纳米级选择区域外延:从半导体激光到单光子源

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摘要

We present a review of selective area epitaxy and its history in the evolution of semiconductor lasers, with a focus on its application at the nanoscale level in the development of quantum dot and nanopore lasers. Recent applications will be discussed including applications to integrated photonics and quantum photonics, such as patterned single-photon sources.
机译:我们介绍了对半导体激光器的演化中的选择性区域外延及其历史的审查,重点是纳米级水平在量子点和纳米孔激光器的发展中的应用。 将讨论最近的应用,包括用于集成光子学和量子光子的应用,例如图案化的单光子源。

著录项

  • 来源
    《Progress in Quantum Electronics》 |2021年第1期|100305.1-100305.14|共14页
  • 作者

    Verma V. B.; Elarde V. C.;

  • 作者单位

    NIST 325 Broadway MC 815-04 Boulder CO 80305 USA;

    Northrup Grumman 600 S Hicks Rd Rolling Meadows IL 60098 USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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