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机译:重新审视作为n型TCO的共掺杂ZnO薄膜的电和光传输特性
Indian Assoc Cultivat Sci, Dept Solid State Phys, Kolkata 700032, India;
Indian Assoc Cultivat Sci, Dept Solid State Phys, Kolkata 700032, India;
TCO; Co-doped ZnO; Defects; Carrier concentration; Mobility; Optical transparency;
机译:通过脉冲激光沉积制备的n型导电磷掺杂ZnO薄膜的结构,电学,光致发光和光学性质
机译:CO / Ni共掺杂ZnO薄膜结构,形态学,光学和电性能的研究
机译:(Y / Al)共掺杂ZnO薄膜的结构,光学,电学和湿度感测特性
机译:溶胶 - 凝胶法沉积的Al-Sn共掺杂ZnO薄膜的电气和光学性质
机译:通过中和离子束溅射和脉冲激光沉积沉积的n型薄膜透明导电氧化物的电学和光学性质的制备和表征。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响