机译:关于晶体管输出电容的一些注意事项
机译:发行人注释:“通过室温瞬态电容测量表征AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的陷阱行为” [AIP Advances 6,6,095021(2016)]
机译:宽带间隙晶体管中输出电容损耗的新见解
机译:从关断电压瞬变中用大信号确定氮化镓场效应晶体管的非线性输出电容的数值方法
机译:E类RF /微波功率放大器:晶体管的非线性输出电容,标准化设计以及最大工作频率与输出电容的线性“等效”值
机译:严重耗尽的MOS-C结构中的载流子生成。 (+ C表示电容)
机译:不同MOS电容的负电容场效应晶体管的比较研究。
机译:超结中输出电容损耗的调查与GAN-on-SI功率晶体管
机译:具有光电探测器的有源像素传感器像素,其输出耦合到输出晶体管栅极