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Dislocations, crystallite size, and planar faults in nanocrystalline ceria

机译:纳米晶二氧化铈中的位错,微晶尺寸和平面缺陷

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摘要

The modified Williamson-Hall and Warren-Averbach methods were used successfully for analyzing experimentally observed anisotropic X-ray diffraction line broadening and for determining reliable values of crystallite size and dislocation density in cerium oxide. The modified Williamson-Hall plot gives 22.3(2) nm for volume-weighted crystallite size, while the modified Warren-Averbach produces 18.0(2) nm for area-weighted grain size. The dislocation density and effective outer cut-off radius of dislocations obtained from the modified Warren-Averbach method are 1.8(3) ×10~(15) m~(-2) and 15.5(1) nm, respectively.
机译:改进的Williamson-Hall和Warren-Averbach方法已成功用于分析实验观察到的各向异性X射线衍射线展宽以及确定氧化铈中微晶尺寸和位错密度的可靠值。修改后的Williamson-Hall图得出的体积加权微晶尺寸为22.3(2)nm,而修改后的Warren-Averbach得出的面积加权晶粒尺寸为18.0(2)nm。通过改进的Warren-Averbach方法获得的位错密度和有效外截止半径分别为1.8(3)×10〜(15)m〜(-2)和15.5(1)nm。

著录项

  • 来源
    《Powder diffraction》 |2009年第3期|228-233|共6页
  • 作者

    S. R. Aghdaee; V. Soleimanian;

  • 作者单位

    Department of Physics, Iran University of Science anil Technology, Narmak, 16844 Tehran, Iran;

    Department of Physics, Iran University of Science anil Technology, Narmak, 16844 Tehran, Iran;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    anisotropic line broadening; crystallite size; dislocation density;

    机译:各向异性线展宽;微晶尺寸位错密度;

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