机译:应变外延纳米岛的平衡形状和位错成核
Laboratory of Physics, P.O. Box 1100, Helsinki University of Technology, FIN-02015 HUT, Espoo, Finland;
theory and models of crystal growth; physics of crystal growth; crystal morphology and orientation; mechanical properties; surface strains; low-dimensional; mesoscopic; and nanoscale systems: structure and nonelectronic properties;
机译:应变外延层中位错成核的机理
机译:应变外延层中位错成核的最小能量路径-艺术没有。 241408
机译:界面失配位错引起的表面扩散引起的应变外延膜的平衡表面粗糙度
机译:Si上低失配外延Ge_x Si_(1-x)中“双半位错环”成核的机制
机译:Portevin-LeChâtelier效应中的集体位错效应和位错成核导致塑性不稳定性
机译:具有GeSiSn纳米岛和应变层的半导体膜的形貌结构和光学性质
机译:应变外延纳米岛的平衡形状和位错成核。
机译:应变外延层中线程位错逮捕的判据及其路径中的界面错配位错