机译:在GaN(0001)和GaN(0001)表面掺入Mg的能量学
Department of Chemistry, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA;
semiconductor surfaces; doping and impurity implantation in Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵsemiconductors;
机译:氧在GaN(0001)和GaN(0001)表面上的吸附和结合:第一性原理密度泛函计算
机译:MBE-生长的GaN(0001),高索/ GaN(0001)和Ga2O3((2)over-Bar01)上的乙醇表面化学
机译:GaN(0001)1 x 1表面上的外延Al / GaN和Au / GaN结
机译:在应变AlN(0001)和GaN(0001)表面上的结合能和原子扩散的密度泛函计算
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:基于最陡熵上升量子热力学模拟氨在GaN(0001)重构表面上化学吸附的非平衡过程
机译:“3d过渡金属在表面(0001)GaN上的吸附和扩散。研究使用DFT“/”在GaN(0001)表面上吸附和扩散3d过渡金属。 DFT研究“