机译:H在邻位Pt表面上的电子性质:第一性原理研究
Department of Applied Physics, Helsinki University of Technology, P.O. Box 1100, FI-02015 TKK Espoo, Finland;
Department of Applied Physics, Helsinki University of Technology, P.O. Box 1100, FI-02015 TKK Espoo, Finland;
Department of Applied Physics, Helsinki University of Technology, P.O. Box 1100, FI-02015 TKK Espoo, Finland;
Department of Physics, Brown University, Providence, Rhode Island 02912-1843, USA;
ab initio calculations of adsorbate structure and reactions; adsorbate structure (binding sites, geometry); density functional theory, local density approximation, gradient and other corrections; surface states, band structure, electron density of states;
机译:第一性原理研究Cu(110)邻近表面的弛豫结构和电子性质
机译:全包合金X_2coga散装和表面中结构,电子和光学性质的第一原理研究(X = TI,HF)
机译:清洁和缺O的ZnAl_2O_4(110)表面的结构,电子和光学性质的第一性原理研究
机译:第一性原理研究GaN(0001)表面的电子结构和光学性质
机译:第一性原理研究半导体表面的电子结构和光学特性的统一方法,用于精确计算量子角动量的耦合系数。
机译:铁吸附对氧化锌(0001)表面电子和光催化性能的影响:第一性原理研究
机译:H在邻近Pt表面上的电子性质:第一性原理研究